存储三巨头砸 1.5 万亿美元扩产，AI 驱动的内存涨价潮还要持续到 2028

AI 算力需求的爆发正在把存储芯片从「通用大宗商品」推向「战略资源」。美国投行 Jefferies 最新预测，2026 年第三季度内存价格环比将上涨 40% 到 50%，第四季度再涨 30% 到 40%，2027 年全年同比上涨 40% 至 45%，涨势至少延续到 2028 年才会放缓。这一轮涨价背后，三星、SK 海力士、美光三家存储原厂正合计投入超过 1.5 万亿美元扩产，但产能扩张速度远远跟不上 AI 引发的需求曲线。

三家原厂的「烧钱」节奏

全球 DRAM 市场 90% 以上的份额集中在三星、SK 海力士、美光三家手中，三者合计投资预计超过 1.5 万亿美元。但仔细看投资分布会发现一个共同点：都在拉长时间线、分摊负担，没有一家在赌短期爆发。

• 三星与 SK 集团日前公布的十年期投资计划总规模约 2000 万亿韩元（约 1.3 万亿美元），覆盖半导体、显示、电池和数据中心。三星计划在光州、全罗南道、龙仁等地新建 10 余座晶圆厂，并在忠清南道投入 56 万亿韩元建设先进封装基地。
• SK 海力士计划在光州建设四、五座前道晶圆厂，并在忠清北道清州扩建 NAND 闪存工厂，相关投资约 600 万亿韩元。崔泰源此前披露，清州 M15X 晶圆厂将于 2026 年下半年开始运营，初始月产能 4 万片。
• 美光第四财季资本支出约 100 亿美元，2026 财年全年 270 亿美元，2027 财年季度资本支出将进一步增长。爱达荷州博伊西总部两座晶圆厂总投资 500 亿美元，纽约州锡拉丘兹晶圆厂集群投资 1000 亿美元，日本广岛 DRAM 晶圆厂投资 96 亿美元，新加坡则定位为先进封装卓越中心。

美光 CEO 桑杰将扩产瓶颈归结为「结构性约束」：晶圆厂建设周期长、设备交付延迟、熟练工人短缺、能源和水电基础设施跟不上。他判断未来两三年供给端的紧张大概率不会缓解。

HBM：比传统 DRAM 更棘手的变量

真正让下游厂商焦虑的是 HBM（高带宽存储器）。分析师 fin 在《AI 半导体终局推演》中给出了一组关键数据：每张 GPU 的 HBM 容量需求每年增长约 40%，而供给端产能增量仅 14%，DRAM 单元密度增速只有 9%，供需差值高达 16 个百分点。

HBM 与传统 DRAM 的区别在于：

• Base die（基底裸片）有定制属性，客户需要与存储原厂签订长约锁产能。
• AI 需求可预测性更强，价格下行反而刺激客户加大配置量，形成需求托底。
• 技术换代快，旧货贬值快，原厂倾向争取下一代技术认证，而非在存量市场打价格战。

fin 认为，HBM 已从「赚一年亏三年」的传统周期转变为「上行赚得多、下行也亏不到哪里去」的成长性周期。只要 Transformer 架构的注意力机制不被颠覆，这一趋势就不会逆转。

英伟达、AMD 争抢韩国产能

HBM 的稀缺性正在改变大客户的采购方式。今年 6 月，黄仁勋在首尔与 SK 集团会长崔泰源会面时直言，SK 海力士到 2030 年将存储晶圆产能翻倍的计划「远远不够」。随后英伟达与 SK 海力士官宣多年期技术合作协议，英伟达新推出的 Vera CPU 将采用 SK 海力士 DRAM。

AMD 同样在加速锁单。今年 3 月，苏姿丰完成 2014 年上任以来的首次韩国之行，与三星在京畿道平泽签署谅解备忘录：三星将为 AMD 下一代 AI 加速器 MI455X 供应 HBM4 内存，并为代号「Venice」的第六代 EPYC 处理器开发定制化 DRAM 方案。

巨头扎堆飞往首尔，本质上是因为内存正在从一种可按需采购的通用部件，变成一种需要 CEO 亲自出马去争取的战略资源。

美光强硬表态，苹果遭反噬

本轮涨价中，美光态度最为强硬。首席商务官苏米特·萨达纳接受《华尔街日报》采访时罕见翻旧账：上一次行业低迷期，部分客户「以最低价采购」，把供应商毛利率压成负数，导致 2023 年大量扩产投资被叫停。虽未点名，但业界普遍认为这一「激进客户」指的是苹果。

如今，强硬议价的反噬已经到来。库克近期承认这轮内存短缺是「百年一遇的洪水」，涨价「不可避免」，随后苹果对 MacBook、iPad、Apple TV 和 Vision Pro 等产品线全面提价，当天市值蒸发 2650 亿美元。据《金融时报》报道，苹果正悄悄游说华盛顿，希望获准向中国存储芯片厂商长鑫采购内存。

Gartner 分析师兰吉特·阿特瓦尔的评价一针见血：「连苹果也无法幸免，尽管他们拥有所有的专业知识和长期规划，但这已经超出了他们限制影响的能力。」市场普遍预测最快 2028 年后存储短缺才会缓解，但买方想拿回过去那种「予取予求」的筹码已不现实。内存的「大宗商品时代」正在落幕，而终端厂商的适应才刚刚开始。