朗矽科技完成近 2 亿元 Pre-A+ 轮融资，加码先进封装硅基无源器件

近日，上海朗矽科技有限公司宣布完成近 2 亿元 Pre-A+ 轮融资。本轮共有 7 家机构参与，包括高瓴创投、智微资本、商汤国香资本、嘉溢创投、飞图创投及中启资本，老股东东方富海持续加注；公司近年营收保持成倍增长，累计融资接近 3 亿元。融资资金将主要投向硅电容、硅电阻、硅电感先进封装器件芯片化平台的研发、核心团队扩充与关键设备采购，加速产品规模化量产与交付。

切入 AI 算力：硅电容融入先进封装

AI 大模型与高性能计算推高算力密度与芯片功耗，供电网络（PDN）对瞬态响应、低阻抗与小型化提出更苛刻的要求。硅电容具有超低等效串联电阻（ESR）、低等效串联电感（ESL）、宽温域稳定和超薄集成等特性，正加速进入 GPU、CPU 及 SoC 等先进封装体系，成为近芯高频去耦的关键器件。朗矽科技已形成表贴硅电容与多端子基板埋容两条产品路径，两类方案均已通过客户验证，公司称关键性能指标已比肩甚至超越国际头部企业同类产品。

产业链协同：从送样到规模化交付

公司将产业协同前置到产品定义与开发阶段，与多个客户、晶圆厂、封装厂及基板厂在尺寸、端子结构、可靠性等维度开展联合验证。多端子基板埋容产品已在 CPU、GPU 领域实现规模化交付，并获得亿元级订单；在光模块领域已批量供货海外头部客户。已量产和已验证客户超过 20 家，月产能超过 5 亿颗。

平台化布局：不止于硅电容

公司正系统构建硅电容、硅电阻、硅电感产品矩阵，已有逾 200 款硅电容、硅电阻系列量产型号，并持续推进硅基功率电感研发与硅基无源器件 2.5D/3D 集成布局。截至目前，公司累计取得 34 项核心专利及布图，2024 年获批上海市集成电路先导产业项目，2025 年在「创·在上海」国际创新创业大赛中获得一等奖，2026 年 5 月电容密度 2 μF/mm²、ESL 低于 2.9 pH 的产品通过 AEC-Q200 车规级可靠性认证。公司表示，正在筹备海外研发中心以引进国际人才。

朗矽科技本轮融资属于 AI 算力上游供应链的一笔常规融资动作，公司自身在硅基无源器件赛道仍处于早期商业化阶段，其在 AI 处理器与高性能计算市场的实际放量与客户结构，仍有待后续业绩进一步验证。