2026 全球闪存峰会武汉聚焦 AI 存储变革

8 月 26 日，以「存力跃迁，AI 破局」为主题的 2026 全球闪存峰会（Flash Memory World 2026）在武汉召开。本届峰会由 DOIT 传媒、华中科技大学计算机科学与技术学院与华中科技大学集成电路学院联合主办，汇聚中国工程院院士，华中科技大学、杭州电子科技大学等高校学者，以及 Solidigm（思得）、华为、慧荣科技、天翼云、紫光闪芯、联想凌拓、浪潮信息、中科曙光、数合泰、得瑞领新等存储产业链上下游企业代表，共同探讨 AI 时代下存储技术与产业的新一轮变革。

大会背景：AI 浪潮下的「存力」跃迁

随着大模型参数规模迈向万亿级、推理响应进入毫秒级、数据流转趋于全域化，高性能存储已成为 AI 真正落地的数据底座，而不再仅仅是配套设施。中国工程院院士、清华大学计算机系郑纬民教授在致辞中指出，没有闪存技术的进步，就没有今天 HPC 和 AI 的蓬勃发展；预计未来五年全球闪存存储市场将迎来新一轮「跃迁式」发展，中国作为全球最大的闪存消费市场之一，必将在这一变革中扮演重要角色。

华中科技大学副校长冯丹教授在开幕式致辞中提出三点期许：一是聚力自主创新，共破核心技术瓶颈，夯实国产存储产业根基；二是深化产教融合，打通科研成果转化通道；三是坚持开放协同，构建全球闪存纵深生态。DOIT 传媒创始人兼 CEO 郑信武表示，存储正从传统的数据载体升级为支撑 AI 全链路运转的数据基础设施，成为突破算力、数据流转和智能记忆瓶颈的关键力量。

武汉近年聚焦打造「世界存储之都」战略定位，并以长江存储为龙头形成千亿级存储产业集群。本届峰会「重返」武汉，既是行业盛会的回归，也是对国内存储产业发展进程的一次集中见证。

技术前沿：新型存储与 AI 场景优化

围绕 AI 时代下的存储技术演进，多位学者与企业代表分享了最新研究与产品进展。

• 华中科技大学集成电路学院院长缪向水教授围绕「三维相变存储器芯片」作主题报告。他指出，DRAM 和 3D NAND 分别面临工艺微缩、堆叠层数及性能提升等瓶颈，相变存储器（PCM）凭借高速、低功耗、高擦写次数等特性，有望形成新的存储层级，其团队已从材料、选通管、器件、集成电路及三维集成工艺等多个层面推进研发与产学研合作。
• 华中科技大学教授、计算机学院存储所所长王芳认为，大语言模型需处理万亿级 Token，数据供给难以跟上算力增长，形成「存储墙」。其团队从计算、数据访问和存储三个层面优化，在图嵌入、DNN 训练和推荐模型等场景取得明显效果：FeLoG 平均实现 28.8 倍性能提升，SpiderCache 将缓存命中率最多提升 8.5 倍、训练速度最多提升 2.33 倍，TokaDB 实现 4–9 倍性能提升。
• 杭州电子科技大学微电子研究院院长、华澜微电子首席科学家骆建军教授结合月初参加全球存储产业峰会（FMS）的观察指出，今年 FMS 亮点清晰聚焦在「人工智能」，另一重要趋势是亚太力量的崛起；国外存储大厂已同时布局 DRAM 与 Flash，国内的长江存储、长鑫存储未来也必然走向融合。

Solidigm、华为、慧荣科技、天翼云、紫光闪芯、联想凌拓、浪潮信息、中科曙光、数合泰、得瑞领新等企业的代表先后发言，介绍了各自在产业洞察、技术预见与解决方案方面的布局。

论坛与发布：从介质到系统的全栈探讨

当天下午，峰会同步开启四大并行论坛，分别围绕 AI SSD 创新应用、面向 AI 的存储系统、CXL 互联生态与弹性内存池、新型存储器技术四大方向展开深入讨论，议题覆盖从底层介质、互联技术、系统架构到存储产品的全栈技术演进，聚焦 AI 时代新型工作负载带来的存储需求变化。

作为年度产业成果的集中发布窗口，本届峰会现场推出两大重磅内容：

• 《2026 AI 存储芯图》：梳理 AI 存储产业链全景。
• 《2026 闪存风云榜》：盘点年度闪存产业代表企业与产品。

主办方表示，这两份报告旨在为全球闪存市场提供一手产业洞察与决策参考。

行业展望

全球闪存峰会已走过第九个年头，DOIT 传媒作为主办方也已深耕存储领域二十余载。从 2017 年提出「数据是基础，存储是基石」到本届「存力跃迁，AI 破局」，存储的战略价值在 AI 浪潮下持续抬升。随着 AI 应用对存力提出更高要求，围绕新型存储器、存算一体、AI SSD、CXL 互联等方向的技术创新与产业探索，正在打开新的市场空间，新的产业周期已然开启。