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长鑫科技半年净赚 776 亿,AI 算力周期引爆 DRAM

长鑫科技上半年营收 1503.1 亿元、净利 776.1 亿元,受 AI 算力拉动 DRAM 价格暴涨驱动。

2026.08.31 · 周一4 分钟阅读

国内 DRAM 龙头长鑫科技交出了一份令市场瞠目的半年报:2026 年上半年营收 1503.1 亿元,同比增长 873.64%;归母净利润 776.1 亿元,在 A 股所有公司中排名第十。这一成绩背后,是 AI 算力需求爆发推动 DRAM 价格飙升的「超级周期」。

半年报核心数据

2026 年 8 月 28 日,长鑫科技发布上半年业绩:

  • 营业收入:1503.1 亿元,同比 +873.64%
  • 归母净利润:776.1 亿元
  • 主营业务毛利率:84.84%
  • A 股净利润排名:第十

财报指出,净利润增长主要得益于全球算力需求快速增长及主要厂商产能调配,DRAM 产品供不应求、价格大幅上涨,带动销售毛利大幅提升。资本市场同样反应强烈:上市当天收盘价 49.5 元,较发行价上涨 471.6%;截至 8 月 28 日,累计涨幅近 20%。

AI 周期与 DRAM 涨价潮

AI 大模型训练与推理本质上是海量数据的高速读写过程,GPU 缓存有限,必须依赖 DRAM 暂存数据。根据美光测算,AI 服务器中 DRAM 容量约为普通服务器的 8 倍。HBM 技术通过将 DRAM 压缩并联,进一步提升存储效率,是 AI 算力的关键组件。

供需两端同时收紧,催生了 DRAM 的极端行情:

  • TrendForce 数据:2025 年全球 DRAM 现货价格大涨超 410%
  • 2026 年一季度合约价继续环比暴涨 80%–95%
  • 长鑫毛利率从 2023 年的 -2.19% 飙升至 2026 年上半年的 84%

HBM 更高的利润驱使三星、SK 海力士、美光三大巨头将多数先进产能转向 HBM,通用消费级 DRAM 产能被大幅压缩,形成巨大供给缺口,这正是长鑫的主战场。

十年回本路与战略卡位

从 2025 年扭亏为盈到半年利润超 776 亿元,长鑫完成了「十年回本」的惊险一跃。此前公司截至 2025 年底累计未弥补亏损 366.5 亿元,如今半年利润已远超历史亏损总额。

战略层面,长鑫采取了激进的跳代策略:跳过 17nm 中间制程,直接落地 16nm(1Z)工艺体系,对标国际主流 DDR5 规格,并在 2024 年底开始量产 DDR5、逐步缩减 DDR4 产能。其产品已进入小米、OPPO、vivo、联想、华为等主流供应链。

周期走向与未来挑战

市场对 AI 时代存储周期的判断存在分歧。摩根士丹利首席半导体分析师 Joseph Moore 在 2026 年 6 月提出「芯片通胀」(Chipflation)概念,认为本轮涨价是结构性重置,而非普通周期;2026 年 AI 预计将消耗全球三分之二的 DRAM 产能。但高盛同时预警:2027 下半年至 2028 年全球新增产能集中释放后,存储涨价动能大概率放缓。

新一轮扩产已在路上:美光将 2026 财年资本开支上修至 250 亿美元,2027 年指引超 350 亿美元;SK 海力士 2026 年 8 月宣布在韩国投入近 400 亿美元扩产;三星 2026 年资本开支计划超 700 亿美元。

长鑫面临的核心挑战在于技术代差。三星、SK 海力士在 DDR5 领域已采用 12–14nm 的 D1a/D1α 和 D1b/D1β 工艺,在 HBM 领域 SK 海力士已量产 HBM3E 并推进 HBM4,三星、美光也在快速跟进。加之美国对华禁售 EUV 光刻机、联合荷兰日本收紧先进 DUV 出口,长鑫正布局 VCT 垂直晶体管、4F² 单元结构等前瞻方向,试图「换道超车」以降低对最先进光刻设备的依赖,但工程实现仍面临良率、成本、可靠性等多重挑战。

366.5 亿元的历史亏损可以用半年利润填平,但要成为下一个美光或海力士,长鑫还需要在 HBM 等高端品类与海外巨头正面对决——这是 AI 超级周期留给中国存储产业的下一道关卡。

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