AI需求驱动存储三巨头改写周期规则

随着三星电子 7 月 30 日发布第二季度财报，国际三大存储芯片厂商三星、SK 海力士、美光的最新财季业绩全部出炉，三家公司均刷新成立以来的最高纪录。但创纪录的业绩并未带来创纪录的股价——最近一个多月，三家公司股价均经历大幅回撤，市场担忧本轮行业繁荣会重蹈「涨价—扩产—过剩—暴跌」的「死亡循环」。从公开信息看，三巨头在扩产上明显较以往克制，方向高度聚焦 AI 相关产品。

供给瓶颈：产能向 HBM 倾斜，消费端持续承压

SK 海力士 2026 年资本支出预计接近 50 万亿韩元（约 350 亿美元），新增先进制程产能几乎全部投向 HBM（高带宽存储器）和 AI 服务器用 DRAM，消费电子端供给因此进一步收紧。

HBM 与常规 DRAM 之间存在产能挤兑关系。芯片说 ICTIME 首席分析师林美炳介绍，每建成 1 万片 HBM 月产能约需消耗 3 万片常规 DRAM 月产能进行转换，当前全行业 HBM 月产能约 32.6 万片 12 英寸等效晶圆（三星约 14 万片、SK 海力士约 15 万片、美光约 3.6 万片），仍不够用。群智咨询测算，AI 服务器在 2026 年已占全球 DRAM 晶圆产能约 50%，2027 年预计升至约 60%。

更反常识的是 HBM 价格倒挂于常规 DRAM：HBM3E 目前每 GB 单价约 12–13 美元，下半年 HBM4 约 16–19 美元，反而低于同期 DDR5。高盛在 8 月 4 日研报中预计，到 2026 年底常规 DRAM 平均价格将升至约 2 美元/GB（2025 年底约 0.5–0.6 美元/GB），2027 年 HBM 混合均价需同比上涨 87%–100% 才能恢复相对常规 DRAM 的溢价。

供给紧张已传导至终端设计。集邦咨询 8 月 4 日报告显示，英伟达已从第三季度起将下一代 GPU Rubin Ultra 的 HBM 配置从 HBM4E 12 层堆叠改为并行评估 HBM4E 8 层、HBM4 12 层、HBM4 8 层等多种降规方案；并因 LPDDR5X 持续短缺，决定将下一代超级芯片模组搭载内存容量减半。

商业模式变革：五年长协取代按季议价

过去存储芯片以季度议价为主，价格随行就市、波动剧烈。本轮三巨头系统性切换为三至五年期长期供应合同，设定「价格走廊」，约定保底价格、照付不议条款，买方以预付款与保证金作履约保障。

• 美光 2026 财年第三财季签署 16 份五年期战略客户协议，按保底价计算金额合计约 1000 亿美元，预计将收到约 220 亿美元现金存款和信用证作履约保障。
• 三星计划将 60%–70% 产能分配给多年期长协，全球前五大数据中心客户已全部签约，另有五家大型 AI 客户处于最后谈判阶段。
• NAND 闪存厂商闪迪 8 月 5 日与 8 家客户签署多年期长协，按保底价计算收入合计 939 亿美元，预计 2027 财年覆盖超 50% 比特产能，2028 财年达约三分之二。

美银证券分析认为，三星在长协中将价格下调幅度控制在环比不超过 5%，上调空间 10%–20% 以上且无上限。高盛研报对比条款后判断，这种商业模式转变有望拉长高盈利持续时间，支撑存储厂商估值中枢从此前的 5–6 倍提升至 8–10 倍。闪迪 CEO 戴维·戈克勒表示，公司目前已拥有超四年的需求能见度。

2028 年之后：长鑫科技带来国产替代变量

关于本轮周期何时见顶，受访业内人士普遍认为价格实质性回调最早出现在 2028 年下半年之后，且节奏将明显有别以往。三巨头通过长协把不同客户、不同产品线的价格调整周期「错位拉开」——消费电子最先感受到松动，利基型产品其次，服务器再次，汽车电子因长协期限最长而最后调整。

竞争格局方面，国内 DRAM 龙头长鑫科技 7 月 27 日科创板挂牌，募集约 579 亿元，市值一度逼近 4 万亿元，2025 年第四季度全球 DRAM 销售额份额达 7.67%、位居全球第四。据记者了解，长鑫科技生产成本与终端报价均低于海外同类产品约一成，正填补三巨头将先进制程转向 AI 后消费端腾出的市场空间。

不过林美炳判断，HBM 领域技术差距仍约为两代——海外三巨头已量产 HBM3、部分完成 HBM4 量产验证，国内企业 HBM3 尚处于产能爬坡阶段。长鑫科技目前正与一家国内成熟制程晶圆代工厂推进 CBA（存储与逻辑晶圆混合键合）方面的合作，试图构建国产 HBM 的完整制造链条，其 LPDDR6 产品也已接近研发验证尾声，有望于 2026 年下半年实现量产导入。